thumb|FET generalizado como um amplificador Um amplificador FET é um amplificador que utiliza um ou mais transistores de efeito de campo (FETs). O tipo mais comum de amplificador FET é o amplificador MOSFET, que utiliza FETs de metal-óxido-semicondutor (MOSFETs). A principal vantagem de um FET usado para amplificação é que ele possui uma impedância de entrada muito alta e uma baixa impedância de saída.

Em detalhes A transcondutância é dada por:

Reorganizando a equação, obtém-se:

Circuito equivalente A resistência interna Rgs entre a porta (gate) e a fonte (source) aparece entre o dreno (drain) e a fonte. Rds é a resistência interna entre o dreno e a fonte. Como Rgs é muito alta, ela é considerada infinita, e Rds é negligenciada.

Ganho de tensão Para um circuito equivalente ideal de um FET, o ganho de tensão é dado por:

A partir do circuito equivalente:

E a partir da definição de transcondutância:

Obtemos:

Tipos de amplificadores FET Existem três tipos de amplificadores FET, dependendo de qual terminal é o comum para a entrada e a saída. (Isso é semelhante a um amplificador de transistor de junção bipolar (BJT).)

Amplificador de porta comum A porta é comum tanto para a entrada quanto para a saída.

Amplificador de fonte comum A fonte é comum tanto para a entrada quanto para a saída.

Amplificador de dreno comum O dreno é comum tanto para a entrada quanto para a saída. Também é conhecido como um "seguidor de fonte" (source follower).

História

O princípio básico do amplificador de transistor de efeito de campo (FET) foi proposto pela primeira vez pelo físico austro-húngaro Julius Edgar Lilienfeld em 1925.Lilienfeld, Julius Edgar (1926-10-08) "Method and apparatus for controlling electric currents" No entanto, o seu conceito inicial de FET não era um projeto prático. O conceito do FET também foi posteriormente teorizado por Oskar Heil na década de 1930 e por William Shockley na década de 1940, mas nenhum FET prático funcional foi construído na época.

Amplificador MOSFET

Um grande avanço ocorreu com o trabalho do engenheiro egípcio Mohamed M. Atalla no final da década de 1950. Ele desenvolveu o método de passivação de superfície, que mais tarde tornou-se crítico para a indústria de semicondutores, pois viabilizou a produção em massa da tecnologia de semicondutor de silício, como os chips de circuito integrado (CI). Para o processo de passivação de superfície, ele desenvolveu o método de oxidação térmica, que foi um marco na tecnologia de semicondutores de silício. O método de passivação de superfície foi apresentado por Atalla em 1957. Com base no método de passivação, Atalla desenvolveu o processo metal-óxido-semicondutor (MOS), utilizando silício oxidado termicamente. Ele propôs que o processo MOS poderia ser usado para construir o primeiro FET de silício funcional, o qual ele começou a desenvolver com a ajuda do recém-contratado coreano Dawon Kahng.

O amplificador de transistor de efeito de campo MOS (MOSFET) foi inventado por Mohamed Atalla e Dawon Kahng em 1959. Eles fabricaram o dispositivo em novembro de 1959, e o apresentaram como o "siliconsilicon dioxide field induced surface device" no início de 1960, na Solid-State Device Conference realizada na Universidade Carnegie Mellon. O dispositivo é protegido por duas patentes, hoje já expiradas, depositadas separadamente por Atalla e Kahng em março de 1960.

Ver também Amplificador de potência de áudio LDMOS Eletrônica de potência Dispositivo semicondutor de potência MOSFET de potência Amplificador de potência de RF

Categoria:MOSFETs Categoria:Invenções da Áustria Categoria:Invenções da Coreia do Sul